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ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Name: Infineon ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISZ113N10NM5LF2A
Price: 2.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISZ113N10NM5LF2A

Fabricante N.º:

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.929	$4,645.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.9 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	22 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	OptiMOS 5 Linear FET
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	ISZ113N10NM5LF2 SP005987894