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S25FL256SDPMFIG11

Name: Infineon S25FL256SDPMFIG11
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-25FL256SDPMFIG11
Price: 5.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

797-25FL256SDPMFIG11

Fabricante N.º:

S25FL256SDPMFIG11

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 256Mb 3V 66MHz Serial Memoria flash tipo NOR

Hoja de datos:

S25FL256SDPMFIG11 Hoja de datos (PDF)

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N.º de artículo del Fabricante:

S25FL256SDPMFIG10

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$5.22

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-Narrow-16
Serie:	S25FL256S
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	100 mA
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	66 MHz
Organización:	32 M x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tipo de tiempo:	Synchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	US
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	66 MHz
Cantidad de empaque de fábrica:	705
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	MirrorBit
Peso de la unidad:	200.700 mg

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-2-11 (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

FL Serial NOR Flash

Infineon Technologies FL Serial NOR Flash memory offers a reduced pin count for lower system cost while providing optimal read/write performance for various automotive, networking, consumer electronics, and industrial applications.

S25FL MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory

Infineon Technologies S25FL128S/S25FL256S MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory devices employ MIRRORBIT technology that stores two data bits in each memory array transistor. These Infineon devices feature 65nm process lithography as well as Eclipse architecture that dramatically improves program and erase performance. Infineon S25FL128S and S25FL256S Flash Non-Volatile Memory devices offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of embedded applications. They are ideal for code shadowing, XIP, and data storage.

S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices are 2.7V to 3.6V or 1.65V to 3.6V V_IO Volt Non-volatile Memory. The S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices use 65nm MIRRORBIT™ technology. Featuring the Eclipse™ architecture with a Page Programming Buffer, 256Mb S25FLxS FL-S NOR allows users to program up to 256-words. This results in more effective programming and erasing than prior generation SPI programs or erased algorithms. The devices connect to a host system via an SPI and support traditional SPI single bit serial input and output.

FL Serial NOR Flash Memory

Infineon Technologies FL Serial NOR Flash Memory offers a reduced pin count while providing optimal read/write performance. This feature makes the FL Serial NOR Flash Memory optimal for automotive, networking, consumer electronics, and industrial applications. An AEC-Q100 qualification and PPAP support are available for automotive customers. The Infineon FL family has four product groups: FL-S, FL-L, FL1-K, and FL-P.