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S29GL01GS10DHI010

Name: Infineon S29GL01GS10DHI010
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-S29GL01GS10DHI01
Price: 18.05 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

797-S29GL01GS10DHI01

Fabricante N.º:

S29GL01GS10DHI010

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 1G 3V 100ns Parallel Memoria flash tipo NOR

Hoja de datos:

S29GL01GS10DHI010 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$18.05	$18.05
	$16.75	$167.50
	$16.23	$405.75
	$15.83	$791.50
	$15.44	$1,544.00
	$14.91	$3,727.50
	$14.12	$7,342.40

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

S29GL01GS10DHI013

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$16.27

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	FBGA-64
Serie:	S29GL01G/512/256/128S
Tamaño de memoria:	1 Gbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	60 mA
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	64 M x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	100 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	520
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	MirrorBit
Peso de la unidad:	8.455 g

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Hoja de datos

S29GL01GS10DHI010 Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.