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S29GL512T11FHIV30

Name: Infineon S29GL512T11FHIV30
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S29GL512T11FHV30
Price: 8.04 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

727-S29GL512T11FHV30

Fabricante N.º:

S29GL512T11FHIV30

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Memoria flash tipo NOR Nor

Hoja de datos:

S29GL512T11FHIV30 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-64
Serie:	S29GL512T
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	60 mA
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	64 M x 8/32 M x 16
Ancho de bus de datos:	8 bit/16 bit
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	110 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	3.698 g

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CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.1.a

S29GL01GT/512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory offers a page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as quick as 100ns. These devices feature a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This feature results in faster effective programming time than standard programming algorithms. The Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT is ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.