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S80KS5122GABHM023

Name: Infineon S80KS5122GABHM023
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHM023
Price: 10.88 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

727-S5122GABHM023

Fabricante N.º:

S80KS5122GABHM023

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

DRAM SPCM

Hoja de datos:

S80KS5122GABHM023 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Paquete / Cubierta:	FBGA-24
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

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USHTS:: 8542320002
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.