SPA11N80C3

Infineon Technologies
726-SPA11N80C3
SPA11N80C3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 350

Existencias:
350 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
11 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.24 $3.24
$2.11 $21.10
$1.62 $162.00
$1.35 $675.00
$1.17 $1,170.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
450 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: CoolMOS C3
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 72 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Alias de las piezas n.º: SP000216320 SPA11N8C3XK SPA11N80C3XKSA1
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99