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SPB80P06P G

Name: Infineon SPB80P06P G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SPB80P06PG
Price: 1.81 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-SPB80P06PG

Fabricante N.º:

SPB80P06P G

Fabricante:

Infineon Technologies

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	340 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SIPMOS
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MX
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	SPB80P06
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Alias de las piezas n.º:	SPB8P6PGXT SP000096088 SPB80P06PGATMA1
Peso de la unidad:	4 g