SPP11N60CFDXKSA1

Infineon Technologies
726-SPP11N60CFDXKSA1
SPP11N60CFDXKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 380

Existencias:
380 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.44 $3.44
$2.24 $22.40
$1.74 $174.00
$1.47 $735.00
$1.33 $1,330.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
440 mOhms
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS CFD
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Alias de las piezas n.º: SPP11N60CFD SP000681042
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99