3N163 SOT-143 4L RoHS

Name: Linear Integrated Systems 3N163 SOT-143 4L RoHS
Brand: Linear Integrated Systems
SKU: 722-3N163SOT1434LROH
Price: 2.7 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

722-3N163SOT1434LROH

Fabricante N.º:

3N163 SOT-143 4L RoHS

Fabricante:

Linear Integrated Systems

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Linear Integrated Systems
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-143-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	250 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6.5 V, 6.5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Dp - Disipación de potencia :	350 mW, 375 mW
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Linear Integrated Systems
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	3N163
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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ECCN:: EAR99

3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.