CGH27030P

Name: MACOM CGH27030P
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH27030P
Price: 144.14 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGH27030P

Fabricante N.º:

CGH27030P

Fabricante:

MACOM

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	440196
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	14 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	15 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	28 V
Frecuencia de trabajo máxima:	2.7 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	30 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V
Peso de la unidad:	20.524 g