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CGH31240F

Name: MACOM CGH31240F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH31240F
Price: 1176.19 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGH31240F

Fabricante N.º:

CGH31240F

Fabricante:

MACOM

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Alertas de entrega:

Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440201
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	345 W
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	12 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.1 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.7 GHz
Potencia de salida:	240 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Tipo:	GaN SiC HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V
Peso de la unidad:	32.095 g