CGH40010P

Name: MACOM CGH40010P
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40010P
Price: 189.33 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGH40010P

Fabricante N.º:

CGH40010P

Fabricante:

MACOM

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440196
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.5 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	CGH40010-TB
Ganancia:	16 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2 GHz
Potencia de salida:	10 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	80
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Tipo:	GaN SiC HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V