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CGHV1J006D-GP4

Name: MACOM CGHV1J006D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV1J006D
Price: 83.4 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-CGHV1J006D

Fabricante N.º:

CGHV1J006D-GP4

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt

Hoja de datos:

CGHV1J006D-GP4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Die
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	800 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 Ohms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	17 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	18 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	10 MHz
Potencia de salida:	6 W
Empaquetado:	Gel Pack
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V
Peso de la unidad:	3.890 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

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Hoja de datos

CGHV1J006D-GP4 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.