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CGHV40320D-GP4

Name: MACOM CGHV40320D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40320D
Price: 810.15 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV40320D

Fabricante N.º:

CGHV40320D-GP4

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt

Hoja de datos:

CGHV40320D-GP4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Die
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	320 W
Empaquetado:	Gel Pack
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Peso de la unidad:	649 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

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Hoja de datos

CGHV40320D-GP4 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.