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CGHV59350F

Name: MACOM CGHV59350F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59350F
Price: 2318.29 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV59350F

Fabricante N.º:

CGHV59350F

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt

Hoja de datos:

CGHV59350F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	11 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	5.9 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	5.2 GHz
Potencia de salida:	450 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	C-Band Radar HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V
Peso de la unidad:	37 g

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Hoja de datos

CGHV59350F Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.