CMPA601C025F

MACOM
941-CMPA601C025F
CMPA601C025F

Fabricante:

Descripción:
Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: Amplificador de RF
Alertas de entrega:
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RoHS:  
6 GHz to 12 GHz
28 V
2 A
34 dB
Power Amplifiers
Screw
GaN
46.2 dBm
22 dBm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Marca: MACOM
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Pérdida de retorno de entrada: - 5 dB
Número de canales: 1 Channel
Dp - Disipación de potencia : 35 W
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba: 12 GHz
Peso de la unidad: 12.646 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

GaN HEMT-Based MMIC Power Amplifiers

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT)-Based Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Power Amplifiers are optimized for high-power applications, such as ultra-broadband amplifiers, satellite uplinks, and test instrumentation. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. The GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. These MACOM MMIC power amplifiers enable wide bandwidths to be achieved in a small footprint.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

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