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GTVA262711FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262711FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262711FAV2R0
Price: 138.18 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-GTVA262711FAV2R0

Fabricante N.º:

GTVA262711FA-V2-R0

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Hoja de datos:

GTVA262711FA-V2-R0 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$138.18	$138.18
	$111.26	$1,112.60
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$111.26	$5,563.00
	$109.10	$10,910.00
500	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	H-87265J-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	18 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	2.69 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.62 GHz
Potencia de salida:	300 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.