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MCP2D6N10Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCP2D6N10Y-BP
Price: 4.43 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCP2D6N10Y-BP

Fabricante N.º:

MCP2D6N10Y-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	240 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Qg - Carga de puerta:	257 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	52 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	158 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	98 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	51 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N de 100 V MCP2D6N10Y

El MOSFET de canal N de 100 VMCP2D6N10Y de Micro Commercial Components (MCC) está diseñado para una conmutación de alta potencia. El MCP2D6N10Y de MCC utiliza la tecnología avanzada de trinchera de puerta dividida (SGT) y una baja resistencia de encendido de 2.6 mΩ. El dispositivo reduce significativamente las pérdidas de conducción, a la vez que mejora la eficiencia térmica. Con una resistencia térmica ultrabaja de unión a carcasa de 0.6K/W, este MOSFET aumenta la eficiencia en dispositivos electrónicos de potencia exigentes. Su paquete TO-220 mejora el rendimiento con una alta capacidad ante sobretensiones. El MCP2D6N10Y combina un sólido manejo de corriente, una excelente disipación de calor y una eficiencia óptima, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia como sistemas de administración de baterías, controladores de motores y convertidores CC-CC.