Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

APTGX600A170TDP3EG

Name: Microchip APTGX600A170TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX600A170TDP3EG
Price: 218.89 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

579-TGX600A170TDP3EG

Fabricante N.º:

APTGX600A170TDP3EG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

APTGX600A170TDP3EG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 40 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$218.89	$218.89

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	IGBT Modules
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.7 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.7 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	600 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Dp - Disipación de potencia :	2.272 kW
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	Si

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

APTGX600A170TDP3EG Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.