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MSC035SMA070B4

Name: Microchip MSC035SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070B4
Price: 10.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSC035SMA070B4

Fabricante N.º:

MSC035SMA070B4

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD

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Hoja de datos:

MSC035SMA070B4 Hoja de datos (PDF)

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	$10.02	$100.20
	$8.57	$257.10
	$8.34	$1,000.80

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	77 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V
Qg - Carga de puerta:	99 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	283 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	US
País de difusión:	US
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	52 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.