MSC060SMB120SDT/R

Name: Microchip MSC060SMB120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC060SMB120SDTR
Price: 5.12 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-MSC060SMB120SDTR

Fabricante N.º:

MSC060SMB120SDT/R

Fabricante:

Microchip Technology

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	192 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Producto:	MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns