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MPQ1918GQE-AEC1-Z

Name: Monolithic Power Systems (MPS) MPQ1918GQE-AEC1-Z
Brand: Monolithic Power Systems (MPS)
SKU: 946-MPQ1918GQEAEC1-Z
Price: 1.52 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

946-MPQ1918GQEAEC1-Z

Fabricante N.º:

MPQ1918GQE-AEC1-Z

Fabricante:

Monolithic Power Systems (MPS)

Descripción:

Controladores de puertas 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver

Hoja de datos:

MPQ1918GQE-AEC1-Z Hoja de datos

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

MPQ1918GQE-AEC1-P

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$3.28

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Monolithic Power Systems (MPS)
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	FCQFN-14
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	5 ns
Tiempo de caída:	3 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MPQ1918
Empaquetado:	Reel
Marca:	Monolithic Power Systems (MPS)
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Características:	Fast Propagation Times
Voltaje de entrada - Máx.:	5.5 V
Voltaje de entrada - Mín.:	4.5 V
Tipo lógico:	TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	30 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	30 ns
Tiempo apagado - Máx.:	30 ns
Corriente de suministro operativa:	1 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	30 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.2 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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MPQ1918GQE-AEC1-Z Hoja de datos

Controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918

Los controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918 de Monolithic Power Systems (MPS) están diseñados para controlar FET de nitruro de galio (GaN) en modo de mejora o MOSFET de canal N con un bajo voltaje de umbral de puerta. Estos controladores de medio puente cuentan con entradas de modulación de ancho de pulso (PWM) de alta tensión (HS) y baja tensión (LS) independientes. Los controladores de medio puente MPQ1918 proporcionan una técnica de arranque para que el voltaje del controlador HS funcione hasta 100 V_DC.Estos controladores incluyen un rango de voltaje de 3.7 V a 5.5 V (V_CC), resistencia pull-down/pull-up de 0.27 Ω/1.2 Ω, y salidas de puertas separadas para obtener capacidades ajustables de encendido y apagado. Los controladores de medio puente MPQ1918 cuentan con la calificación AEC-Q100 grado 1 y están disponibles en un paquete FCQFN-14. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores de medio puente y puente completo, amplificadores clase D de audio, convertidores reductores sincrónicos y módulos de potencia.