935151493547-T3N

Murata Electronics
81-935151493547-T3N
935151493547-T3N

Fabricante:

Descripción:
Capacitores de RF de silicio / Película fina High frequency, Low ESL, Ultra Broadband, Optical,

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Productos similares

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Murata
Categoría de producto: Capacitores de RF de silicio / Película fina
RoHS:  
0.047 uF
3.8 V
0201 (0806 metric)
15 %
UBSC
70 PPM / C
- 55 C
+ 150 C
Reel
Marca: Murata Electronics
Tensión de disparo: 11 V
Código de caja (pulg.): 0201
Código de caja (mm): 0806
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: FR
Altura: 0.4 mm
Longitud: 0.8 mm
Frecuencia de trabajo máxima: 60 GHz
Producto: RF Capacitors
Tipo de producto: Silicon RF Capacitors / Thin Film
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Capacitors
Estilo de terminación: SMD/SMT
Tipo: Ultra-Broadband
Régimen de voltaje de CC: 3.8 VDC
Ancho: 0.6 mm
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8532290000
USHTS:
8532290040
TARIC:
8532290000
ECCN:
EAR99

Ultra-Broadband Silicon Capacitors

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Capacitores de silicio SMT de ultra banda ancha BBSC/UBSC/ULSC

Los capacitores de silicio SMT de ultra banda ancha BBSC/UBSC/ULSC de Murata se utilizan en sistemas ópticos de comunicación (ROSA/TOSA, SONET y todos los componentes optoelectrónicos), así como en productos o sistemas de datos de alta velocidad. Estos capacitores están diseñados para aplicaciones de bloqueo de CC, acoplamiento y conexión a tierra de derivación. Los capacitores de silicio ofrecen bajo nivel de pérdida de inserción, bajo nivel de reflexión y alto nivel de estabilidad de fases de 16 kHz hasta 67 GHz para los UBSC, hasta 40 GHz para los BBSC y hasta 20 GHz para los ULSC. Estos capacitores de silicio de tipo trinchera profunda se han desarrollado con un proceso MOS de semiconductores, lo que permite alta confiabilidad, y sobrecarga de voltaje (0.1 %/V) y temperatura (60 ppm/K) de estabilidad de capacitancia.

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