GAN190-650FBEZ

Nexperia
771-GAN190-650FBEZ
GAN190-650FBEZ

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,663

Existencias:
1,663 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$5.34 $5.34
$3.55 $35.50
$3.22 $161.00
$2.52 $252.00
$2.51 $502.00
$2.45 $1,225.00
$2.35 $2,350.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$1.33 $3,325.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-5060-5
N-Channel
1 Channel
650 V
11.5 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Marca: Nexperia
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 4 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tiempo de retardo de apagado típico: 1.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 1.4 ns
Alias de las piezas n.º: 934665905332
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.