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GANB8R0-040CBAZ

Name: Nexperia GANB8R0-040CBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANB8R0-040CBAZ
Price: 2.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-GANB8R0-040CBAZ

Fabricante N.º:

GANB8R0-040CBAZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

GANB8R0-040CBAZ Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.27	$2.27
	$1.46	$14.60
	$1.44	$72.00
	$0.99	$99.00
	$0.791	$395.50
	$0.765	$765.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.764	$1,910.00
	$0.625	$3,125.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WLCSP-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	10.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	15 W
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Voltaje máximo drenaje-puerta:	40 V
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Bi-Directional Gallium Nitride FET
Alias de las piezas n.º:	934667631341

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Hoja de datos

GANB8R0-040CBAZ Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GANB8R0-040CBA Bi-Directional GaN FET

Nexperia GANB8R0-040CBA Bi-Directional Gallium Nitride (GaN) FET is a 40V, 8.0mΩ bi-directional GaN High Electron-Mobility Transistor (HEMT) housed in a compact 1.7mm x 1.7mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP). This normally-off enhancement-mode device offers ultra-high switching speed and low on-state resistance, making the Nexperia GANB8R0-040CBA ideal for applications requiring efficient power management and high power density. The device's bidirectional capability and superior performance make it suitable for high-side load switches, overvoltage protection, and DC-to-DC converters.