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GANE2R7-100CBAZ

Name: Nexperia GANE2R7-100CBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE2R7-100CBAZ
Price: 5.46 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-GANE2R7-100CBAZ

Fabricante N.º:

GANE2R7-100CBAZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22

Ciclo de vida:

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	$2.61	$261.00
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	$2.06	$3,090.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WLCSP-22
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	5.5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	470 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Alias de las piezas n.º:	934667634341

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs are general-purpose, normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.