Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

GANE350-700BBAZ

Name: Nexperia GANE350-700BBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE350-700BBAZ
Price: 2.43 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-GANE350-700BBAZ

Fabricante N.º:

GANE350-700BBAZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

GANE350-700BBAZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia GANE350-700BBAZ

En existencias: 2,355

Existencias:: 2,355

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 2,470
Plazo de entrega de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$2.43	$2.43
	$1.57	$15.70
	$1.52	$76.00
	$1.29	$129.00
	$1.03	$515.00
	$1.01	$1,010.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.713	$1,782.50
	$0.687	$3,435.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	350 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	47 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6.1 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	3.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	1.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	0.9 ns
Alias de las piezas n.º:	934667674332

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GANE350-700BBAZ Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low Q_C and Q_OSS values, resulting in excellent power efficiency.