PSC1065J-QJ

Nexperia
771-PSC1065J-QJ
PSC1065J-QJ

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC PSC1065J-Q/SOT8018/TO263-2L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

En pedido:
800
Se espera el 13/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 800 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.76 $3.76
$2.47 $24.70
$1.73 $173.00
$1.57 $785.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$1.43 $1,144.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
440 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
Marca: Nexperia
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Dp - Disipación de potencia : 60 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º: 934663809118
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode is designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The Nexperia PSC1065K SiC Schottky diode is encapsulated in a Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021) through-hole power plastic package. The product offers temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an outstanding figure-of-merit (QC x VF). The Merged PiN Schottky (MPS) diode improves the robustness expressed in a high IFSM.