Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

PSMN1R2-80CSEJ

Name: Nexperia PSMN1R2-80CSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R2-80CSEJ
Price: 7.37 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-PSMN1R2-80CSEJ

Fabricante N.º:

PSMN1R2-80CSEJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

PSMN1R2-80CSEJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia PSMN1R2-80CSEJ

En existencias: 147

Existencias:: 147 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.37	$7.37
	$5.39	$53.90
	$4.36	$436.00
	$3.67	$1,835.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$3.43	$3,430.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	CCPAK1212
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	375 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.18 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	233 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	935 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	70 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	57 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	133 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	67 ns
Alias de las piezas n.º:	934666615118 934670000000

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrar documento:

Hoja de datos

PSMN1R2-80CSEJ Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ASFET CCPAK para intercambio de datos y arranque suave

Nexperia CCPAK ASFETs for Hotswap and Soft Start offer a reliable linear mode, enhanced SOA, and low R_DS(on). The CCPAK ASFETs are designed for carefully controlled in-rush current to protect components on replacement boards inserted into a live system. The devices ensure these always-on systems do not experience any power disruption. The Nexperia CCPAK ASFETs are optimized for strong SOA and low R_DS(on) in a single device.

MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.