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PSMN1R4-100ASEJ

Name: Nexperia PSMN1R4-100ASEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R4-100ASEJ
Price: 7.81 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN1R4-100ASEJ

Fabricante N.º:

PSMN1R4-100ASEJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	CCPAK1212
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	340 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	244 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	935 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	86 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	66 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	142 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	65 ns
Alias de las piezas n.º:	934666622118 934670000000

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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