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BSS123_R2_00001

Name: Panjit BSS123_R2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-BSS123_R2_00001
Price: 0.03 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

241-BSS123_R2_00001

Fabricante N.º:

BSS123_R2_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

Hoja de datos:

BSS123_R2_00001 Hoja de datos (PDF)

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BSS123_R1_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	170 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	12000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	8.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.4 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.