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PJMF120N60EC_T0_00001

Name: Panjit PJMF120N60EC_T0_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJMF120N60T00001
Price: 3.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJMF120N60T00001

Fabricante N.º:

PJMF120N60EC_T0_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Hoja de datos:

PJMF120N60EC_T0_00001 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Panjit
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	600V SJ MOSFET
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2 g

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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an R_DS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.