Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

PSMP033N10NS2_T0_00601

Name: Panjit PSMP033N10NS2_T0_00601
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMP033N1T000601
Price: 3.57 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

241-PSMP033N1T000601

Fabricante N.º:

PSMP033N10NS2_T0_00601

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

PSMP033N10NS2_T0_00601 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Panjit PSMP033N10NS2_T0_00601

En existencias: 1,975

Existencias:: 1,975

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 1,990
Plazo de entrega de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 1975 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$3.57	$3.57
	$1.80	$18.00
	$1.62	$162.00
	$1.33	$665.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AB-L-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	219 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.9 ns
Serie:	PSM
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15.5 ns
Peso de la unidad:	2.095 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

PSMP033N10NS2_T0_00601 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.