PTGH4065S1_T0_00201

Name: Panjit PTGH4065S1_T0_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PTGH4065S1T00201
Price: 4.19 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PTGH4065S1T00201

Fabricante N.º:

PTGH4065S1_T0_00201

Fabricante:

Panjit

Descripción:

IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor

Hoja de datos:

PTGH4065S1_T0_00201 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	76 A
Dp - Disipación de potencia :	220 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Panjit
Máx. corriente continua Ic del colector:	120 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.280 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at T_VJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Q_rr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of T_VJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient V_CEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.