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QPD1004ASR

Name: Qorvo QPD1004ASR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1004ASR
Price: 137.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1004ASR

Fabricante N.º:

QPD1004ASR

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs Redesign of QPD1004

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

QPD1004ASR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$137.11	$137.11
	$133.11	$1,331.10
	$94.03	$2,350.75
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	$81.83	$8,183.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	145 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.6 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	27.6 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1004AEVB
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	30 MHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	46 dBm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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Hoja de datos

QPD1004ASR Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1004A GaN Input Matched Transistors

Qorvo QPD1004A GaN Input Matched Transistors are 25W (P_3dB), 50Ω input matched discrete Gallium Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operate from 30MHz to 1400MHz on a 50V supply rail. An integrated input matching network enables wideband gain and power performance, while the output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band. The Qorvo QPD1004A transistors are ideally suited forbase stations, radar, and communications applications, and support both CW and pulsed modes of operation. These devices are housed in an industry-standard 6mm x 5mm x 0.85mm surface-mount DFN package.