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QPD1008L

Name: Qorvo QPD1008L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1008L
Price: 373.02 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1008L

Fabricante N.º:

QPD1008L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN

Hoja de datos:

QPD1008L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$373.02	$373.02
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-360
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1008LPCB401
Ganancia:	17.5 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.2 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	162 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1008L
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	145 V

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.