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QPD1035

Name: Qorvo QPD1035
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1035
Price: 328.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1035

Fabricante N.º:

QPD1035

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

QPD1035 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Flanged
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	50.4 W
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V
Ganancia:	12.1 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	145 V
Frecuencia de trabajo máxima:	6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	50 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1035
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	Power Transistor

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.