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TGF3021-SM

Name: Qorvo TGF3021-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3021-SM
Price: 186.82 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-TGF3021-SM

Fabricante N.º:

TGF3021-SM

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr

Hoja de datos:

TGF3021-SM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-20
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	32 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.8 A
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	30 MHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	30 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	TGF3021
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-SiC
Alias de las piezas n.º:	TGF3021 1121772
Peso de la unidad:	10.012 g

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 8541290100
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ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.