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BSM300D12P3E005

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P3E005
Price: 1567.35 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSM300D12P3E005

Fabricante N.º:

BSM300D12P3E005

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BSM300D12P3E005 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1,567.35	$1,567.35

Reemplazo posible

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Fabricante N.º:

BSM300D12P4G101

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.26 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	50 ns
Altura:	15.4 mm
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	210 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm

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Hoja de datos

BSM300D12P3E005 Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.