BSM400C12P3G202

ROHM Semiconductor
755-BSM400C12P3G202
BSM400C12P3G202

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Silicon Carbide (SiC) Module
SiC
1.7 V
1.2 kV
- 4 V, + 22 V
Screw Mount
Module
- 40 C
+ 150 C
BSMx
Tray
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Chopper
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Tiempo de caída: 45 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 400 A
Dp - Disipación de potencia : 1.57 kW
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Tiempo de subida: 40 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 4
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo típico: 55 ns
Tiempo de retardo de apagado típico: 180 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 55 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
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USHTS:
8541300080
ECCN:
EAR99