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BSM400D12P2G003

Name: ROHM Semiconductor BSM400D12P2G003
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM400D12P2G003
Price: 2448.99 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-BSM400D12P2G003

Fabricante N.º:

BSM400D12P2G003

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge

Hoja de datos:

BSM400D12P2G003 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	400 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.45 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	75 ns
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	240 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	60 ns
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.