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R6030KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R6030KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6030KNZ4C13
Price: 8.15 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R6030KNZ4C13

Fabricante N.º:

R6030KNZ4C13

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

R6030KNZ4C13 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$3.99	$2,394.00
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	305 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	45 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	75 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N- Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns
Alias de las piezas n.º:	R6030KNZ4

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

R60xxKNZ4 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Power MOSFETs are 600V, N-channel MOSFETs designed for switching applications. The R60xxKNZ4 provides low on-resistance and a fast switching speed. The ROHM R60xxKNZ4 Power MOSFETs are available in a TO-247 package that enables easy parallelling.