UT6ME5TCR

ROHM Semiconductor
755-UT6ME5TCR
UT6ME5TCR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 2A DUAL CH

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8D
N-Channel, P-Channel
2 Channel
100 V
1 A, 2 A
207 mOhms, 840 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
2.8 nC, 6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tiempo de caída: 5 ns, 25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1 S, 1.3 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns, 5.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns, 31 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns, 6.3 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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