RM8N650TI

Name: Rectron RM8N650TI
Brand: Rectron
SKU: 583-RM8N650TI
Price: 0.62 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

583-RM8N650TI

Fabricante N.º:

RM8N650TI

Fabricante:

Rectron

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220F-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	540 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	31.7 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Rectron
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	6.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.5 ns
Peso de la unidad:	2 g