Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

RMA4N60092

Name: Rectron RMA4N60092
Brand: Rectron
SKU: 583-RMA4N60092
Price: 0.17 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

583-RMA4N60092

Fabricante N.º:

RMA4N60092

Fabricante:

Rectron

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 4000 Múltiples: 1000

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$0.171	$684.00
	$0.153	$765.00
	$0.148	$1,480.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	3.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Rectron
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.75 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	8.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.5 ns