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A2TBH45M65W3-FC

Name: STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2TBH45M65W3-FC
Price: 79.24 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-A2TBH45M65W3-FC

Fabricante N.º:

A2TBH45M65W3-FC

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	ACEPACK
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	72 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Altura:	12 mm
If - Corriente directa:	20 A
Longitud:	62.8 mm
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Vf - Tensión directa:	1.4 V
Ancho:	56.7 mm
Peso de la unidad:	42 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

A2TBH45M65W3-FC Power Module

STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC Power Module realizes a triple boost plus half-bridge topology in an ACEPACK^™ 2 module with NTC and capacitance. It integrates the current advances in silicon carbide MOSFETs from STMicroelectronics, represented by third-generation technology. This modular solution is used to realize complex topologies with very high power density and efficiency requirements.