Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

GANSPIN611TR

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-GANSPIN611TR

Fabricante N.º:

GANSPIN611TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

GANSPIN611TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics GANSPIN611TR

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	Half-bridge Driver
Tipo:	Half-bridge with High-voltage Driver
Corriente de salida:	10 A
Corriente de suministro operativa:	900 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-35
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	1 Output
Frecuencia de trabajo:	200 kHz
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	GANSPIN
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	10.7 V
Nombre comercial:	GaNSPIN
Peso de la unidad:	194 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GANSPIN611TR Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge is an advanced power system-in-package integrating two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have an R_DS(ON) of 138mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high side of the embedded gate driver.