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SCT019W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT019W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT019W120G3-4AG
Price: 20.35 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT019W120G3-4AG

Fabricante N.º:

SCT019W120G3-4AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

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	$14.70	$8,820.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	120 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	486 W
Calificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	17.1 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	7.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo típico de demora de encendido:	17.8 ns