SCTW70N120G2V
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511-SCTW70N120G2V
SCTW70N120G2V
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
Hoja de datos:
En existencias: 702
-
Existencias:
-
702 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 702 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $32.55 | $32.55 | |
| $21.35 | $213.50 | |
| $20.93 | $2,093.00 | |
| 600 | Presupuesto |
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
