ST05250

STMicroelectronics
511-ST05250
ST05250

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 120   Múltiples: 120
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)
$138.29 $16,594.80

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
90 V
945 MHz
13.4 dB
250 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: ST05250
Cantidad de empaque de fábrica: 120
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 8 V, + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99